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Référence fabricant | SFF2008GHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SFF2008GHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SFF2008GHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF2008GHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFF2008GHC0G-FT |
UH3CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
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Lattice Semiconductor Corporation
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