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Référence fabricant | SFF1001GHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SFF1001GHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1001GHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1001GHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFF1001GHC0G-FT |
SS34-7000HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-7001HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
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10AX115U4F45I3SG
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