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Référence fabricant | SF801GHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SF801GHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SF801GHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF801GHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SF801GHC0G-FT |
SFF1006GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1007GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1008GA C0G
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SFF1604GHC0G
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SFF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel