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Référence fabricant | SF66GHB0G |
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Numéro de pièce future | FT-SF66GHB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SF66GHB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 6A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF66GHB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SF66GHB0G-FT |
MUR440HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460HB0G
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MUR4L40 A0G
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MUR4L40 B0G
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MUR4L40HA0G
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MUR4L40HB0G
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MUR4L60 A0G
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel