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Référence fabricant | SF2008GHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SF2008GHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SF2008GHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF2008GHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SF2008GHC0G-FT |
TST20H100CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U100C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30H100CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30H120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST40L120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L150CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L100CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30H200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20H150CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel