maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SDT30100CTE
Référence fabricant | SDT30100CTE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SDT30100CTE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SDT30100CTE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 70µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT30100CTE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT30100CTE-FT |
MBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CT
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel