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Référence fabricant | SDT12S60 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT12S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
SDT12S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 12A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 450pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT12S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT12S60-FT |
IDD09SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD10SG60CXTMA1
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SDD04S60
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LCMXO1200E-3T100C
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MPF300TS-1FCG484I
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5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel