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Référence fabricant | SDT10S60 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT10S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
SDT10S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 350µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 350pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT10S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT10S60-FT |
IDD09E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD09SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD10SG60CXTMA1
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IDD12SG60CXTMA1
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IDD15E60BUMA2
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SDD04S60
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SDP06S60
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SDP10S30
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HFA08TB60PBF
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IDH04G65C5XKSA2
Infineon Technologies
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel