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Référence fabricant | SDT06S60 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT06S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
SDT06S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 6A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT06S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT06S60-FT |
IDD05SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD09E60BUMA1
Infineon Technologies
IDD09SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD10SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA2
Infineon Technologies
SDD04S60
Infineon Technologies
SDP06S60
Infineon Technologies
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel