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Référence fabricant | SDT06S60 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT06S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
SDT06S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 6A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 300pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT06S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT06S60-FT |
IDD05SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD08SG60CXTMA1
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IDD09E60BUMA1
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IDD09SG60CXTMA1
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IDD10SG60CXTMA1
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IDD12SG60CXTMA1
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IDD15E60BUMA2
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SDD04S60
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SDP06S60
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XC7S100-1FGGA484C
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M1A3P1000-2FG256
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LFE2M70E-6F1152C
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
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10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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EP1C12F324C6
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