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Référence fabricant | SDR6603-8R2M |
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Numéro de pièce future | FT-SDR6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDR6603 |
SDR6603-8R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | 1.15A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 40MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-8R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDR6603-8R2M-FT |
SRN5040-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-6R8M
Bourns Inc.
SRN5040-8R2M
Bourns Inc.
SRN4026-1R0Y
Bourns Inc.
SRN4026-221M
Bourns Inc.
SRN4026-330M
Bourns Inc.
SRN4026-100M
Bourns Inc.
SRN4026-4R7M
Bourns Inc.
SRN4026-101M
Bourns Inc.
SRN4026-150M
Bourns Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel