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Référence fabricant | SDR6603-6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-SDR6603-6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDR6603 |
SDR6603-6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.4A |
Courant - Saturation | 1.2A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 15.5 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 45MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDR6603-6R8M-FT |
SRN6028-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-470M
Bourns Inc.
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
SRN5040-330M
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SRN5040-150M
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SRN5040-3R3M
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SRN5040-2R2Y
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SRN5040-220M
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SRN5040-270M
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XC3S250E-4CPG132I
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XA6SLX16-3FTG256I
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Xilinx Inc.
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EP4SE530H40I3
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