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Référence fabricant | SDR6603-1R5M |
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Numéro de pièce future | FT-SDR6603-1R5M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDR6603 |
SDR6603-1R5M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.8A |
Courant - Saturation | 2.6A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 115MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-1R5M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDR6603-1R5M-FT |
SRN6028-220M
Bourns Inc.
SRN6028-3R0Y
Bourns Inc.
SRN6028-680M
Bourns Inc.
SRN6028-R90Y
Bourns Inc.
SRN6028-6R2M
Bourns Inc.
SRN6028-6R8M
Bourns Inc.
SRN6028-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-470M
Bourns Inc.
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel