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Référence fabricant | SDR1806-2R2ML |
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Numéro de pièce future | FT-SDR1806-2R2ML |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDR1806 |
SDR1806-2R2ML Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 9A |
Courant - Saturation | 22A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 6.8 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 55MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.720" L x 0.551" W (18.30mm x 14.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.272" (6.90mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1806-2R2ML Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDR1806-2R2ML-FT |
SDR7045-101K
Bourns Inc.
SDR7045-331K
Bourns Inc.
SDR7045-330M
Bourns Inc.
SDR7045-681K
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SDR7045-100M
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SDR7045-680K
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SDR7045-151K
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SDR7045-102K
Bourns Inc.
SDR7045-150M
Bourns Inc.
SDR7045-1R2M
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel