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Référence fabricant | SDR1030-6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-SDR1030-6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDR1030 |
SDR1030-6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.2A |
Courant - Saturation | 2.8A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 52 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 38.1MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.130" (3.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1030-6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDR1030-6R8M-FT |
SDR2207-560KL
Bourns Inc.
SDR2207-5R6ML
Bourns Inc.
SDR2207-681KL
Bourns Inc.
SDR2207-6R0ML
Bourns Inc.
SDR2207-7R8ML
Bourns Inc.
SDR2207-820KL
Bourns Inc.
SDR2207-821KL
Bourns Inc.
SDR2207-8R2ML
Bourns Inc.
SDR2207-100M
Bourns Inc.
SDR2207-101K
Bourns Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel