maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / SDE6603-8R2M
Référence fabricant | SDE6603-8R2M |
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Numéro de pièce future | FT-SDE6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE6603 |
SDE6603-8R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-8R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE6603-8R2M-FT |
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
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IDCS2512ER470M
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IDCS2512ER6R8M
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel