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Référence fabricant | SDE6603-1R0M |
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Numéro de pièce future | FT-SDE6603-1R0M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE6603 |
SDE6603-1R0M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.9A |
Courant - Saturation | 2.9A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 130MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-1R0M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE6603-1R0M-FT |
SDR0906-680KL
Bourns Inc.
SDR0906-220ML
Bourns Inc.
SDR0906-470KL
Bourns Inc.
SDR0906-120ML
Bourns Inc.
SDR0906-331KL
Bourns Inc.
SDR0906-471KL
Bourns Inc.
SDR0906-100ML
Bourns Inc.
SDR0906-103KL
Bourns Inc.
SDR0906-101KL
Bourns Inc.
SDR0906-102KL
Bourns Inc.
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation