maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / SDE1006A-8R2M
Référence fabricant | SDE1006A-8R2M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SDE1006A-8R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE1006A |
SDE1006A-8R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4.1A |
Courant - Saturation | 4.3A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 48 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 27.9MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-8R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE1006A-8R2M-FT |
SRN2009T-3R3M
Bourns Inc.
SRN2009T-4R7M
Bourns Inc.
SRN2009T-6R8M
Bourns Inc.
SRN2009T-R33M
Bourns Inc.
SRN2009T-R47M
Bourns Inc.
SRN2009T-R68M
Bourns Inc.
SRN1060-100M
Bourns Inc.
SRN1060-471M
Bourns Inc.
SRN1060-330M
Bourns Inc.
SRN1060-101M
Bourns Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation