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Référence fabricant | SD3110-R82-R |
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Numéro de pièce future | FT-SD3110-R82-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SD3110 |
SD3110-R82-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 820nH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | 1.67A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 58.9 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.122" L x 0.122" W (3.10mm x 3.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD3110-R82-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD3110-R82-R-FT |
RL110S-471L-RC
Bourns Inc.
RL110S-560L
Bourns Inc.
RL110S-560L-RC
Bourns Inc.
RL110S-561L
Bourns Inc.
RL110S-561L-RC
Bourns Inc.
RL110S-680L
Bourns Inc.
RL110S-680L-RC
Bourns Inc.
RL110S-681L
Bourns Inc.
RL110S-681L-RC
Bourns Inc.
RL110S-820L
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel