maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / SD 199 E6327
Référence fabricant | SD 199 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-SD 199 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SD 199 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.3pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 25 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD 199 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD 199 E6327-FT |
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
BB156,135
NXP USA Inc.
BB171X
NXP USA Inc.
BB172X
NXP USA Inc.
BB208-03,135
NXP USA Inc.
XC3S1500L-4FGG456C
Xilinx Inc.
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXMA5N1F45C2LN
Intel
XC4013XL-2BG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I5
Intel