maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / SD 199 E6327
Référence fabricant | SD 199 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-SD 199 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SD 199 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.3pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 25 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD 199 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD 199 E6327-FT |
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
BB156,135
NXP USA Inc.
BB171X
NXP USA Inc.
BB172X
NXP USA Inc.
BB208-03,135
NXP USA Inc.
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10CL120ZF484I8G
Intel
10M40DCF672C8G
Intel
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4F23C8N
Intel