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Référence fabricant | SD12-1R5-R |
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Numéro de pièce future | FT-SD12-1R5-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SD |
SD12-1R5-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.19A |
Courant - Saturation | 2.08A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 52.1 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD12-1R5-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD12-1R5-R-FT |
UP2B-820-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-101-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-102-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-1R5-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-3R3-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-681-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-6R8-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-821-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-R47-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-1R0-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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Xilinx Inc.
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