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Référence fabricant | SD12-102-R |
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Numéro de pièce future | FT-SD12-102-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SD |
SD12-102-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1mH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 121mA |
Courant - Saturation | 86mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 17.2 Ohm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD12-102-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD12-102-R-FT |
UP2B-150-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-151-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-471-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-4R7-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-820-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-101-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-102-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-1R5-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-3R3-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-681-R
Eaton - Electronics Division
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation