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Référence fabricant | SD12-101-R |
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Numéro de pièce future | FT-SD12-101-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SD |
SD12-101-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 308mA |
Courant - Saturation | 273mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 2.64 Ohm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD12-101-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD12-101-R-FT |
UP2B-331-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-150-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-151-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
UP2B-820-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-101-R
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UP2B-102-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-1R5-R
Eaton - Electronics Division
UP2B-3R3-R
Eaton - Electronics Division
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
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U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
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