maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SD103BW-E3-08
Référence fabricant | SD103BW-E3-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SD103BW-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SD103BW-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103BW-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD103BW-E3-08-FT |
VS-80EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel