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Référence fabricant | SD103BW-13 |
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Numéro de pièce future | FT-SD103BW-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SD103BW-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 28pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103BW-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD103BW-13-FT |
SBR140S3-7
Diodes Incorporated
SD101AWS-7
Diodes Incorporated
SD101BWS-7
Diodes Incorporated
SD101CWS-7
Diodes Incorporated
SD103AWS-7
Diodes Incorporated
SD103BWS-7
Diodes Incorporated
SD103CWS-7
Diodes Incorporated
SDMK0340L-7
Diodes Incorporated
ZLLS400TC
Diodes Incorporated
SBR3A40SAF-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel