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Référence fabricant | SD101CWS-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-SD101CWS-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SD101CWS-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 2.1pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD101CWS-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD101CWS-HE3-18-FT |
VS-SD400C24C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C12S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C14S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C16S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel