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Référence fabricant | SD101BW-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-SD101BW-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SD101BW-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 2.1pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD101BW-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD101BW-HE3-18-FT |
VT2080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT46W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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Intel
LFXP6E-4F256C
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Lattice Semiconductor Corporation
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