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STMicroelectronics SCT10N120

Name: SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT10N120
Price: 9.904 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (489 reviews)

Numéro de pièce MFG: SCT10N120

quantité disponible: 96560 Pièces

Prix de référence: USD 9.904

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: - MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SCT10N120.pdf

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SCT10N120 Caractéristiques

Référence fabricant	SCT10N120
Numéro de pièce future	FT-SCT10N120
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SCT10N120 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	HiP247™
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT10N120 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SCT10N120-FT

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