maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SCNAR10
Référence fabricant | SCNAR10 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SCNAR10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SCNAR10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | - |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 22.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 9A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 1000V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNAR10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SCNAR10-FT |
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LD412060
Powerex Inc.
LD412260
Powerex Inc.
LD412460
Powerex Inc.
ND410826
Powerex Inc.
ND411226
Powerex Inc.
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel