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Référence fabricant | SCH1337-TL-W |
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Numéro de pièce future | FT-SCH1337-TL-W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SCH1337-TL-W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 172pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563/SCH6 |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCH1337-TL-W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SCH1337-TL-W-FT |
NTP18N06G
ON Semiconductor
NTP18N06L
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NTP22N06
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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A3PN125-1VQ100
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
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