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Référence fabricant | SCH114-8R6 |
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Numéro de pièce future | FT-SCH114-8R6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SCH114 |
SCH114-8R6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 8.6µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 3.4A |
Courant - Saturation | 4.2A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.409" L x 0.409" W (10.40mm x 10.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.193" (4.90mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCH114-8R6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SCH114-8R6-FT |
SCMD4D10-100
Signal Transformer
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LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
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Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
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EP4SGX180DF29C2XN
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