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Référence fabricant | SC312MF-2R2 |
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Numéro de pièce future | FT-SC312MF-2R2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SC312MF |
SC312MF-2R2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 157 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.053" (1.35mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SC312MF-2R2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SC312MF-2R2-FT |
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LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
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EPF8636AQC160-3
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EP1SGX40GF1020I6
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