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Référence fabricant | SBRT2M10LP-7 |
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Numéro de pièce future | FT-SBRT2M10LP-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR |
SBRT2M10LP-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 10V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 400mV @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-UDFN |
Package d'appareils du fournisseur | X1-DFN1411-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT2M10LP-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBRT2M10LP-7-FT |
SDT12A120P5Q-13D
Diodes Incorporated
SDT12A120P5Q-7D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5Q-13D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5Q-7D
Diodes Incorporated
SBR2A150SP5-13
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-13D
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-7
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-7D
Diodes Incorporated
SBRT20M60SP5-13D
Diodes Incorporated
SBRT20M80SP5-13
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel