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Référence fabricant | SBRT10M50SP5-13D |
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Numéro de pièce future | FT-SBRT10M50SP5-13D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SBRT10M50SP5-13D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 470mV @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT10M50SP5-13D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBRT10M50SP5-13D-FT |
SBRT15U100SP5-13
Diodes Incorporated
SDT5100LP5-13D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5-13
Diodes Incorporated
SBR10B45P5-7
Diodes Incorporated
SBR8E20P5-7
Diodes Incorporated
SBRT20U60SP5-7
Diodes Incorporated
SDT5H100LP5-7
Diodes Incorporated
SBRT15U50SP5-7
Diodes Incorporated
SBR8E45P5-7
Diodes Incorporated
SBRT15M50AP5-7
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel