maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SBR8M100P5-13
Référence fabricant | SBR8M100P5-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SBR8M100P5-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SBR8M100P5-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR8M100P5-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBR8M100P5-13-FT |
PDS560Q-13
Diodes Incorporated
PDS835L-13
Diodes Incorporated
SBR1045SP5Q-13
Diodes Incorporated
SBR12U100P5Q-13
Diodes Incorporated
SBR12U120P5-13
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-13
Diodes Incorporated
SDT5100LP5-13D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5-13
Diodes Incorporated
SBR10B45P5-7
Diodes Incorporated
SBR8E20P5-7
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel