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Référence fabricant | SBR60A200CT |
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Numéro de pièce future | FT-SBR60A200CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBR® |
SBR60A200CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 960mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR60A200CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBR60A200CT-FT |
SBRT30A60CT
Diodes Incorporated
MBR10200CT-E1
Diodes Incorporated
SBR40U45CT
Diodes Incorporated
SDT40A100CT
Diodes Incorporated
MBR20150SCT-E1
Diodes Incorporated
SBRT60U50CT
Diodes Incorporated
SBR10U200CT
Diodes Incorporated
SBR20A100CTB-13
Diodes Incorporated
SBR20U40CT
Diodes Incorporated
SBR10U60CT
Diodes Incorporated
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel