maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SBR30A100CTE-G
Référence fabricant | SBR30A100CTE-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SBR30A100CTE-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBR® |
SBR30A100CTE-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 15A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30A100CTE-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBR30A100CTE-G-FT |
MBR50045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR600150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR600200CT
GeneSiC Semiconductor
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation