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Référence fabricant | SBR2U10LP-7 |
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Numéro de pièce future | FT-SBR2U10LP-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBR® |
SBR2U10LP-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 10V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 460mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | 102pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-UDFN |
Package d'appareils du fournisseur | X1-DFN1411-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR2U10LP-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBR2U10LP-7-FT |
SBR15U30SP5-13
Diodes Incorporated
SDT12A120P5Q-13D
Diodes Incorporated
SDT12A120P5Q-7D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5Q-13D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5Q-7D
Diodes Incorporated
SBR2A150SP5-13
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-13D
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-7
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-7D
Diodes Incorporated
SBRT20M60SP5-13D
Diodes Incorporated
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel