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Référence fabricant | SBR10U200P5-13 |
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Numéro de pièce future | FT-SBR10U200P5-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBR® |
SBR10U200P5-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR10U200P5-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBR10U200P5-13-FT |
SBR10U45SP5-13
Diodes Incorporated
PDS340Q-13
Diodes Incorporated
PDS4200HQ-13
Diodes Incorporated
PDS1040L-13
Diodes Incorporated
SBR8U60P5-13
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PDS760-13
Diodes Incorporated
PDS5100H-13
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SDT5H100LP5-13
Diodes Incorporated
PDS360-13
Diodes Incorporated
PDS4150-13
Diodes Incorporated
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel