maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SBR10200CTB-13-G
Référence fabricant | SBR10200CTB-13-G |
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Numéro de pièce future | FT-SBR10200CTB-13-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBR® |
SBR10200CTB-13-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR10200CTB-13-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBR10200CTB-13-G-FT |
SBR15U100CTL-13
Diodes Incorporated
MBRD20200CT-13
Diodes Incorporated
MBRD20100CT-13
Diodes Incorporated
MBRD20150CT-13
Diodes Incorporated
SBR10200CTL-13
Diodes Incorporated
MBRD10150CT-13
Diodes Incorporated
MBRD10200CT-13
Diodes Incorporated
SBR6100CTLQ-13
Diodes Incorporated
SBR660CTL-13
Diodes Incorporated
SBR10100CTL-13
Diodes Incorporated
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel