maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SBG1040CT
Référence fabricant | SBG1040CT |
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Numéro de pièce future | FT-SBG1040CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SBG1040CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 40V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBG1040CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBG1040CT-FT |
SBR10U100CTFP
Diodes Incorporated
MBRF20200CTG
ON Semiconductor
SBR30A60CTFP
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MBRF20200CT-LJ
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SBR10U150CTFP
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A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
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EP4SE820H35I3N
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XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel