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Référence fabricant | SBCP-80HY102H |
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Numéro de pièce future | FT-SBCP-80HY102H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBCP |
SBCP-80HY102H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1mH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | 480mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.89 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 10kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Vertical Cylinder |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.374" Dia (9.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBCP-80HY102H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBCP-80HY102H-FT |
MGV05032R2M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV05033R3M-10
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel