maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SB20H200CT-1E3/45
Référence fabricant | SB20H200CT-1E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-SB20H200CT-1E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SB20H200CT-1E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB20H200CT-1E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SB20H200CT-1E3/45-FT |
VS-43CTQ100-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-48CTQ060-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1535CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel