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Référence fabricant | S9S12GN16F1VLCR |
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Numéro de pièce future | FT-S9S12GN16F1VLCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HCS12 |
S9S12GN16F1VLCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | 12V1 |
Taille de base | 16-Bit |
La vitesse | 25MHz |
Connectivité | IrDA, LINbus, SCI, SPI |
Des périphériques | LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 26 |
Taille de la mémoire du programme | 16KB (16K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | 512 x 8 |
Taille de la RAM | 1K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 3.13V ~ 5.5V |
Convertisseurs de données | A/D 8x10b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 32-LQFP |
32-LQFP (7x7) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S12GN16F1VLCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S9S12GN16F1VLCR-FT |
LPC1113FHN33/202,5
NXP USA Inc.
LPC11A14FHN33/301,
NXP USA Inc.
LPC1111FHN33/103,5
NXP USA Inc.
LPC1342FHN33,551
NXP USA Inc.
LPC11E36FHN33/501E
NXP USA Inc.
M058ZBN
Nuvoton Technology Corporation of America
LPC1112FHN33/203,5
NXP USA Inc.
NANO102ZB1AN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO102ZC2AN
Nuvoton Technology Corporation of America
NUC122ZC1AN
Nuvoton Technology Corporation of America
XC6SLX100T-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC4085XLA-08HQ304I
Xilinx Inc.
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXEB5R3F43C2LN
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SGES
Intel