maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Embarqué - Microcontrôleurs / S9S12GN16BVTJ
Référence fabricant | S9S12GN16BVTJ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S9S12GN16BVTJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HCS12 |
S9S12GN16BVTJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | 12V1 |
Taille de base | 16-Bit |
La vitesse | 25MHz |
Connectivité | IrDA, LINbus, SCI, SPI |
Des périphériques | LVD, POR, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 14 |
Taille de la mémoire du programme | 16KB (16K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | 512 x 8 |
Taille de la RAM | 1K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 3.13V ~ 5.5V |
Convertisseurs de données | A/D 8x10b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
20-TSSOP | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S12GN16BVTJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S9S12GN16BVTJ-FT |
S9S08SG16E1MTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG32E1CTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG8E2CTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG8E2MTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG8E2VTJR
NXP USA Inc.
S9S08SL16F1MTJR
NXP USA Inc.
MC9S08PA4AVTJ
NXP USA Inc.
MC9S08SF4MTJ
NXP USA Inc.
MC9S08SH8MTJ
NXP USA Inc.
S9S08SG4E2MTJ
NXP USA Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC5206-5PQ208C
Xilinx Inc.
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C3N
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA7U19C7N
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX032E1F29I1HG
Intel
5SGXMA3H2F35I3N
Intel