Référence fabricant | S85JR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S85JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S85JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 85A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 85A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 180°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S85JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S85JR-FT |
DSAI35-12A
IXYS
DSA35-16A
IXYS
DSAI75-16B
IXYS
DSAI35-16A
IXYS
DSA75-18B
IXYS
DSA75-16B
IXYS
DSA2-12A
IXYS
DS2-12A
IXYS
DSA2-16A
IXYS
DSA1-18D
IXYS
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel