maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S72VS256RE0AHBJ10
Référence fabricant | S72VS256RE0AHBJ10 |
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Numéro de pièce future | FT-S72VS256RE0AHBJ10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VS-R |
S72VS256RE0AHBJ10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH, DRAM |
Taille mémoire | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 133-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 133-FBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72VS256RE0AHBJ10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S72VS256RE0AHBJ10-FT |
S30MS01GP25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW003
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW010A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW500
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW503
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel