maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S70GL02GT12FHAV10
Référence fabricant | S70GL02GT12FHAV10 |
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Numéro de pièce future | FT-S70GL02GT12FHAV10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, GL-T |
S70GL02GT12FHAV10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8, 128M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S70GL02GT12FHAV10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S70GL02GT12FHAV10-FT |
6116SA90TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L100TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L25TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel