maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / S6012V
Référence fabricant | S6012V |
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Numéro de pièce future | FT-S6012V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S6012V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Tension - état d'arrêt | 600V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 1.5V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 20mA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.6V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 7.6A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 12A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 40mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 10µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 100A, 120A |
Type de RCS | Standard Recovery |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251 (V-Pak/I-Pak) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6012V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S6012V-FT |
S4SRP
Littelfuse Inc.
S4N1RP
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S4S1RP
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S4S2RP
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S4S3RP
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S6N1RP
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S6S1RP
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S6S3RP
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S6SRP
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S2N1RP
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XC3SD3400A-4CSG484C
Xilinx Inc.
XA6SLX100-2FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F40I3N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
5SGSMD5H3F35C4N
Intel
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6N
Intel
EP3C25Q240C8
Intel