maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / S4KW6C-3N
Référence fabricant | S4KW6C-3N |
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Numéro de pièce future | FT-S4KW6C-3N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S4KW6C-3N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | - |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 6000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 6V @ 12A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 6000V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4KW6C-3N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S4KW6C-3N-FT |
VS-VSKJ91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJS209/150
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJS403/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel