maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / S4KW2C-1P
Référence fabricant | S4KW2C-1P |
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Numéro de pièce future | FT-S4KW2C-1P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S4KW2C-1P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | - |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 12A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 2000V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4KW2C-1P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S4KW2C-1P-FT |
VS-VSKJ71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel